图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 MJB(44,45)H11 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 50 |
| 晶体管类型 | PNP |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 10A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 1V @ 400mA, 8A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 10µA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 40 @ 4A, 1V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 频率转换 | 40MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3D2PAK |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 80 V |
| 集电极最大直流电流 | 10 A |
| 最小直流电流增益 | 60@2A@1V|40@4A@1V |
| 最大工作频率 | 40(Typ) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1@0.4A@8A V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 2000 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 集电极最大直流电流 | 10 |
| 最低工作温度 | -55 |
| Maximum Transition Frequency | 40(Typ) |
| 包装宽度 | 9.65(Max) |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 2000 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极发射极电压 | 80 |
| 供应商封装形式 | D2PAK |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 10.29(Max) |
| 包装高度 | 4.83(Max) |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| 封装 | Rail |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 10A |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 40MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1V @ 400mA, 8A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 10µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 40 @ 4A, 1V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 60 |
| 增益带宽产品fT | 40 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 5 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 10 A |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :80V |
| Transition Frequency ft | :40MHz |
| 功耗 | :50W |
| DC Collector Current | :-10A |
| DC Current Gain hFE | :60 |
| No. of Pins | :3 |
| Weight (kg) | 0 |
| Tariff No. | 85412900 |
| associated | 80-4-5 |
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